Компьютеры заметно поумнеют: скоро будет реализована революционная память ULTRARAM

Новый тип памяти хорошо работает на кремниевых пластинах: ученые уверены, что они сделали большой шаг на пути к ее массовому производству. Компьютерная память ULTRARAM, сочетающая в себе лучшие характеристики флеш-памяти, DRAM и NAND в скором времени может быть реализована на кремниевых пластинах. Об этом сообщает издание sciencedaily.com.

Читайте лучшие материалы раздела на странице "Фокус. Диджитал" в Facebook "ULTRARAM — это новый тип памяти с исключительными свойствами. Она сочетает в себе энергонезависимость и надежность флеш-памяти, скорость, энергоэффективность и долговечность DRAM (DRAM — вид компьютерной памяти, работающей благодаря использованию полупроводниковых материалов и имеющей доступ к данным, хранящихся в разных ячейках, — ред.)", — говорится в материале.

Благодаря сотрудничеству физического и инженерного факультетов Ланкастерского университета и физического факультета Университета Уорвик (Великобритания), новая память продемонстрировала свои возможности, будучи реализованной на кремниевых пластинах. "ULTRARAМ на кремнии — это огромный шаг, позволяющий преодолеть очень серьезные проблемы с материалами, переходом от элементарных к составным полупроводникам, а также проблемы, возникающие при термическом сжатии", — прокомментировал профессор Манус Хейн, возглавляющий группу ученых. Цифровая электроника, являющаяся основой всех гаджетов, от смарт-часов и смартфонов до персональных компьютеров и центров обработки данных, использует процессоры и карты памяти, изготовленные из такого полупроводника, как кремний.