Ученые Samsung разработали материал для создания новейшей памяти
Ученые из Advanced Institute of Technology (SAIT) сообщили об открытии нового материала, пригодного для создания полупроводниковых изделий. Отмечено, что работа проводилась в сотрудничестве с исследователями из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета.
В последние годы ученые SAIT проводили исследования в области двумерных кристаллических материалов, состоящих из одного слоя атомов. К ним, например, относится графен. Так, удалось создать графеновый транзистор, а также новый метод производства больших монокристаллических пластин.
Открытый материал исследователи назвали аморфным нитридом бора (a-BN). Известно, что в его состав входят атомы бора и азота. a-BN получили из белого графена,
Читать на newinform.com

