Samsung начала массовое производство передовой памяти для автономных автомобилей
Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства высокопроизводительных твердотельных накопителей и оперативной памяти нового поколения для автомобильной отрасли.
Речь, в частности, идёт о флеш-модулях PCIe Gen3 NVMe в формате BGA (Ball Grid Array) вместимостью 256 Гбайт. Они оборудованы контроллером собственной разработки Samsung. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 300 Мбайт/с.
Кроме того, организовано массовое производство памяти GDDR6 DRAM и DDR4 DRAM: ёмкость изделий в обоих случаях составляет 2 Гбайт. Решение GDDR6 DRAM обеспечивает пропускную способность до 14 Гбит/с в расчёте на контакт.
Наконец, начат выпуск флеш-накопителей
Читать на goodnews.ua