Гаджеты станут на 30% мощнее. Samsung запустило производство 3-нанометровых чипов

Новая технология на четверть повысит производительность и значительно сократит расход энергии в будущих мобильных устройствах. Samsung приступила к серийному выпуск чипов по более продвинутом 3-нанометровому технопроцессу. Компания рассказала о преимуществе технологии на своем официальном сайте.

Читайте лучшие материалы раздела на странице "Фокус. Диджитал" в Facebook По сравнению с 5-нм техпроцессом, 3-нм техпроцесс первого поколения должен снизить расход энергии на 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь пластины на 16%. В то же время, второе поколение позволяет сделать чипы на 50% экономнее, на 30% мощнее и на 35% меньше.

Примечательно, что главный конкурент Samsung, тайваньская компания TSMC, планирует серийно выпускать 3-нм чипы только в третьем квартале 2022 года. Южнокорейский разработчик Samsung реализовал архитектуру транзисторов с круговым размещением затворов (Gate-All-Around). В качестве пластин используются нанолисты с более широкими каналами, увеличивающие производительность и энергоэффективность по сравнению с нанопроволоками с более узкими каналами.

Разработчики смогут регулировать ширину канала нанолиста, чтобы оптимизировать характеристики для разных нужд. Технология Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) дополнительно повышает энергоэффективность за счет снижения уровня напряжения питания, а также производительность за счет увеличения допустимого тока на приводе. Первым делом Samsung использует свои нанолистовые полупроводниковые чипы для приложений, выполняющих вычисления, требующие выосокой производительности.