Будущее процессоров: MIT разработал технологию создания чипов из нитрида галлия

Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT) в США разработали относительно недорогую и масштабируемую технологию сочетания высокоскоростных транзисторов из нитрида галлия со стандартными кремниевыми чипами.

Ожидается, что такой перспективный полупроводниковый материал, как нитрид галлия, сыграет ключевую роль в создании высокоскоростных систем связи и силовой электроники следующего поколения. Однако его широкое использование до сих пор было ограничено высокой стоимостью и необходимостью применения специальных технологий.

Стремясь решить эти проблемы, исследователи из MIT разработали новый процесс, интегрирующий высокопроизводительные транзисторы на основе нитрида галлия со стандартными кремниевыми чипами. Этот метод предполагает создание большого количества крошечных транзисторов на поверхности чипа из нитрида галлия. Каждый из них вырезается отдельно и только необходимые сочетаются с кремниевым чипом. Это выполняется с использованием низкотемпературной технологии, которая не нарушает производительности обоих материалов.

Поскольку в каждый чип добавляется незначительное количество нитрида галлия, затраты остаются относительно низкими. В то же время такие чипы становятся значительно более производительными за счет компактных высокоскоростных транзисторов. Распределение транзисторов на основе нитрида галлия по площади кремниевого чипа также позволяет снизить общую температуру системы.

Используя этот метод, исследователи MIT создали усилитель мощности, критически важный для смартфонов, обеспечивающий более мощные сигналы и лучшую эффективность, чем традиционные аналоги на основе кремния. В случае со смартфоном это означает более стабильное соединение, более надежную беспроводную связь и более длительный