Без кремния: «первый в мире 2D-транзистор GAAFET» на 40% быстрее аналогов Intel

Разработчики из Пекинского университета заявили о создании первого в мире двумерного маломощного транзистора GAAFET.

Китайские исследователи называют собственную разработку «многослойной, пластинчатой, монокристаллической двумерной конфигурацией GAA.

«Это самый быстрый и самый эффективный транзистор из когда-либо созданных. Если инновации в области чипов на основе существующих материалов считаются «коротким путем», то наша разработка транзисторов на основе 2D-материалов похожа на «смену полосы движения»», — заявляет руководитель исследования, профессор Пен Хайлинь.

Разработчики уверяют, что их транзистор по результатам тестов превзошел аналогичные разработки Intel, TSMC, Samsung и других производителей. Полевые транзисторы Gate-all-around, сокращенно GAAFET, являются следующим этапом эволюции технологии транзисторов после MOSFET и FINFET.

Последние инновации в производстве транзисторов были достигнуты в основном за счет улучшения контроля за источниками и лучшей связи с затворами. Если у MOSFET-транзисторов затвор контактирует с источником только в одной плоскости, у FINFET — затворы касаются трех плоскостей, схема Gate-all-around охватывает все источники, пересекающиеся в затворах.

Такие транзисторы не являются чем-то новым. Технология производства транзисторов необходима для изготовления микросхем на уровне 3 нанометров и ниже. Однако ключевая особенность китайской разработки заключается в двумерных транзисторах, что обусловлено использованием альтернативных кремниевым элементов.

В качестве альтернативы кремнию китайские разработчики использовали полупроводниковый материал оксиселенид висмута (Bi₂O₂Se), способный быть двумерным полупроводником. Такие полупроводники более гибкие и прочные, когда имеют малые размеры, по