ASML подняла мощность EUV-лазера на 67% и обещает на 50% больше чипов к 2030 году

Исследователи ASML продемонстрировали EUV-источник света мощностью 1000 Вт — на 67% больше нынешних 600 Вт. По словам компании, это позволит выпускать до 330 кремниевых пластин в час на одной машине вместо сегодняшних 220, а значит — удешевить производство передовых чипов без строительства новых фабрик.

Ключевое усовершенствование — в самой сложной части машины, генераторе EUV-света. Литограф ASML выстреливает поток расплавленных капель олова через камеру, где мощный CO₂-лазер нагревает их до состояния плазмы — вещество раскаляется сильнее поверхности Солнца и испускает свет с длиной волны 13,5 нм. Этот свет через прецизионную оптику направляется на кремниевую пластину с фоторезистом — примерно как при фотопечати. Чем мощнее источник, тем короче экспозиция и тем больше пластин проходит за час.

Инженеры добились прироста двумя путями: удвоили частоту капель олова до 100 000 в секунду и перешли на два формирующих лазерных импульса на каждую каплю вместо одного. Ведущий технолог ASML по EUV-источникам Майкл Пёрвис подчеркнул, что речь не о лабораторной демонстрации — система работает на 1000 Вт в условиях, полностью соответствующих требованиям заказчиков. По его словам, компания видит чёткий путь к 1500 Вт и не видит фундаментальных причин, мешающих достичь 2000 Вт.

Впрочем, до серийных машин еще далеко. Для интеграции киловаттного источника нужны обновленная проекционная оптика, фоторезисты и защитные пелликулы, поэтому выход на 330 пластин в час ASML планирует не раньше рубежа 2030 года. Но сам прорыв — сигнал конкурентам. В США два стартапа пытаются сломать монополию ASML: Substrate (привлёк $100 млн при оценке в $1 млрд, делает литографию на рентгеновском излучении с ускорителем частиц) и xLight во главе с бывшим CEO Intel