Samsung впервые в мире продемонстрировала вычисления в памяти на базе MRAM — она открывает путь к ИИ нового поколения

Samsung объявила об успешной демонстрации первых в мире вычислений в оперативной памяти на основе MRAM - магниторезистивной памяти с произвольным доступом. Статья об этом была опубликована 12 января в интернет-версии издания Nature. Samsung заявила, что это достижение демонстрирует её лидерство в технологиях памяти и её усилия по объединению памяти и вычислительных микросхем для чипов искусственного интеллекта следующего поколения.

В стандартных компьютерных архитектурах данные хранятся в микросхемах памяти, а вычисления выполняются центральным процессором. Вычисления в памяти - это новая парадигма вычислений, в рамках которой в подсистеме памяти происходит не только хранение данных, но и работа с ними. Поскольку такой подход позволяет обрабатывать большие массивы данных без необходимости их перемещения из подсистемы памяти, и эта обработка выполняется высокопараллельным образом, энергопотребление существенно снижается по сравнению с традиционными системами. Таким образом, вычисления в памяти являются одной из многообещающих технологий для реализации микросхем следующего поколения для работы ИИ, которые смогут похвастаться минимальным энергопотреблением.

По этой причине во всём мире активно проводятся исследования в области вычислений в оперативной памяти. Для их демонстрации использовались RRAM (резистивная оперативная память) и PRAM (оперативная память с фазовым переходом) и MRAM. Последний до сих пор было достаточно трудно использовать для вычислений в памяти, несмотря на все её достоинства, такие как скорость работы, долговечность и то, что она производится в крупных масштабах. Эти трудности заключались в низком сопротивлении MRAM, из-за которого она не может обеспечить снижение энергопотребления при использовании в