Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around

Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Помогаем

Поможем собрать 300 тыс. грн на снаряжение для 113-й бригады, которая воюет в Харьковской области

Отметим, архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET). Каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). В то же время канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что и накладывает ограничения по масштабированию.

У Samsung собственная реализация технологии GAAFET, которая носит маркетинговое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). На самом деле MBCFET отличается от GAAFET не только названием, но и технически: в случае реализации Samsung каналы выполнены виде плоских «мостиков», а не «проводков».

Как заявляют в Samsung, технология MBCFET преодолевает ограничения производительности FinFET, повышая эффективность энергопотребления за счёт снижения уровня напряжения питания, а также повышая производительность за счет увеличения допустимого тока привода. В запатентованной технологии Samsung используются нанолисты с более широкими каналами, что обеспечивает более высокую производительность и большую энергоэффективность по сравнению с технологиями GAA, использующими нанопроводки с более узкими каналами. Используя 3-нм технологию GAA,