Samsung и SK Hynix резко увеличили инвестиции в заводы памяти на фоне дефицита DRAM и NAND

Samsung Electronics и SK Hynix в 2025 году резко увеличили инвестиции в китайские предприятия по выпуску памяти. Компании спешат нарастить поставки DRAM и NAND на фоне глобального дефицита, вызванного ростом спроса на ИИ-вычисления. Однако у этой стратегии есть предел: США ужесточили экспортный контроль, а новые алгоритмы, снижающие потребность в памяти, уже добавили рынку нервозности.

Samsung Electronics инвестировала в предприятие в Сиане $308,8 млн. Это на 67,5% больше, чем годом ранее. Завод в Сиане — единственное зарубежное предприятие Samsung по выпуску памяти на которое приходится около 40% производства чипов NAND. В 2019 году вложения в эту площадку составили $462,9 млн. В 2020—2023 годах инвестиции были приостановлены. В 2024 году они возобновились и составили $184,1 млн.

SK Hynix вложила в предприятие в Уси примерно $385,1 млн, а в завод в Даляне — $292 млн. Инвестиции в Уси выросли на 102% год к году, в Далянь — на 52% по сравнению с 2024 годом. Предприятие в Уси даёт более 30% общего выпуска DRAM компании. Площадка в Даляне — её база по производству NAND. В 2023 году вложений в оба предприятия не было.

Ли Бён-чхоль, приглашённый научный сотрудник Института Седжона и бывший исполнительный вице-президент Samsung Electronics, объяснил этот выбор сроками. Строительство нового предприятия занимает от трёх до пяти лет. Оптимизация действующих мощностей в Китае позволяет реагировать быстрее.

О напряжённости на рынке говорят и оценки аналитиков. Трой Стангароне , внештатный научный сотрудник Института стратегии и технологий Карнеги — Меллона, заявил, что в 2026 году предложение DRAM и NAND на рынке фактически уже распродано. Goldman Sachs в прошлом месяце повысил прогноз дефицита DRAM в 2026 году до 4,9% совокупного