
Samsung готовит SSD с 176-слойной флэш-памятью V-NAND и интерфейсами PCIe 4.0 и 5.0
Компания Samsung в 2013 году первой приступила к выпуску памяти 3D NAND под названием V-NAND, опередив своих конкурентов. Компания начала с 24-слойных чипов и постепенно наращивала количество слоёв. Сейчас Samsung подготовила к выпуску 176-слойные чипы V-NAND, а в перспективе говорит о возможности появления многослойных чипов с более чем 1000 слоёв.
Samsung намерена начать производство потребительских твердотельных накопителей на базе памяти V-NAND седьмого поколения, которая включает 176 слоев. По словам компании, такие чипы имеют самые маленькие в отрасли ячейки памяти NAND. Интерфейс этой новой флэш-памяти обладает скоростью передачи данных 2000 МТ/с, что позволяет Samsung создавать сверхбыстрые твердотельные накопители с интерфейсами
Читать на itc.ua