Новая память для смартфонов может ускорить работу ИИ в 15 раз и сократить энергопотребление наполовину

Однако существующая память стандарта LPDDR начинает становиться узким местом. Ее возможностей уже недостаточно для быстрой передачи больших объемов данных, необходимых для работы современных ИИ-моделей. Именно поэтому в дата-центрах, обслуживающих системы искусственного интеллекта, широко используется память HBM (High Bandwidth Memory) с существенно более высокой пропускной способностью.

Согласно новому отчету, в отрасли ведется разработка нового формата памяти под названием LLW (Low Latency Wide DRAM), который должен решить проблему нехватки пропускной способности в смартфонах.

По имеющимся данным, технология вдохновлена архитектурой HBM. Высокая скорость работы HBM достигается благодаря размещению нескольких слоев памяти максимально близко к процессору и их соединению через чрезвычайно широкую шину передачи данных.

Предполагается, что LLW сможет обеспечить пропускную способность в 10–15 раз выше по сравнению с самыми современными решениями LPDDR. При этом новая память должна предложить меньшие задержки и более эффективный обмен данными между памятью и процессором.

Главное отличие заключается в том, что HBM требует сложных систем упаковки компонентов и дополнительного охлаждения, что делает ее непрактичной для использования в смартфонах. Разработчики LLW намерены сохранить преимущества высокой скорости без недостатков, связанных с перегревом и нехваткой пространства внутри мобильных устройств.

Пока информация о технологии остается неофициальной. Все сведения поступают от отраслевых инсайдеров и блогеров, а не от компаний-разработчиков.

По данным известного информатора Fixed Focus Digital, память LLW сможет:

Если эти показатели подтвердятся, новая технология может стать важным шагом для развития мобильного искусственного