Корейский гигант ускоряет AI: Samsung представляет 12-слойную HBM4E с 3.6 ТБ/с

Пока мир ведет бесконечные дискуссии о том, не лопнет ли «искусственный интеллект» как мыльный пузырь, в Samsung решили не ждать финала драмы и просто добавили газу. Компания объявила о начале поставок первых в отрасли образцов 12-слойной памяти HBM4E. Это следующий шаг после того, как в начале 2026 года корейцы уже успели запустить массовое производство стандартной HBM4. Похоже, темпы обновления железа для ИИ теперь опережают способность софта эти ресурсы адекватно использовать.

Новая память HBM4E разработана специально для ускорения работы больших языковых моделей (LLM) и сложных вычислительных систем. Основной показатель здесь — пропускная способность, которая достигает 3.6 ТБ/с на один стек. Для сравнения, это позволяет перекачивать данные с такой скоростью, что старые стандарты памяти выглядят как попытка наполнить бассейн через коктейльную соломинку.

Скорость передачи данных в новых чипах составляет 14 Гбит/с, но Samsung оставляет пространство для маневра, заявляя о возможности масштабирования до 16 Гбит/с. Текущая 12-слойная версия предлагает объем 48 ГБ, что на 30% больше предыдущих решений. В будущем линейку планируют расширить, добавив варианты на 32 ГБ и 64 ГБ, чтобы удовлетворить аппетиты самых ненасытных графических процессоров.

Вечная проблема HBM — это перегрев. Когда вы упаковываете 12 слоев памяти один на другой, они начинают работать как маленькая печка. Однако в официальном сообщении Samsung Semiconductor утверждается, что благодаря оптимизации архитектуры и новым методам упаковки «тепловой пакет» удалось улучшить на 14%.

Кроме борьбы с температурой, инженеры поработали над энергоэффективностью, улучшив ее на 16% по сравнению с прошлым поколением. В масштабах огромных дата-центров, где счета за