

Ученые создали современный флэш-накопитель памяти толщиной в один атом
Ученые из США создали накопитель памяти нового поколения, толщина которого составляет один атом. Об этом сообщает журнал Nature Nanotechnology. Отмечается, что накопитель имеет плотность записи информации примерно в 100 раз больше по сравнению с современными носителями информации такого типа. В частности, новая разработка представляет собой мемристор – элемент памяти, который меняет свое сопротивление в зависимости от электрического заряда, который сквозь него прошел.
По предварительным данным, мемристор работает быстрее современной флэш-памяти. Кроме того, он позволяет записать больше данных при том же размере устройства.К слову, ранее ученные под руководством Деджи Акинванде из Техасского университета в Остине провели опыт.
Читать на vkcyprus.com

