SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил о создании «самой многослойной в отрасли» 176-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 512 Гбит, способной хранить три бита в одной ячейке. В ноябре компания отправила образцы кристаллов памяти поставщикам контроллеров для тестирования и разработки серийных продуктов на ее основе.
Под хитростным термином «четырехмерная память» (4D NAND) скрывается доработанная трехмерная память. Ключевое отличие технологии 4D NAND от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками непосредственно под основной массив трехмерной памяти. Это и есть дополнительное четвертое измерение в понимании маркетологов SK Hynix. Сама технология размещения периферийных цепей в
Читать на itc.ua
