SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.
HBM3 — четвертое поколение многослойной памяти HBM (high-bandwidth memory). Ее можно встретить преимущественно в топовых ускорителях вычислений вроде NVIDIA A100 и AMD M100, предназначенных для дата-центров и суперкомпьютеров.
По сравнению с предыдущим поколением HBM2E, новая HBM3 обеспечивает на 78% большую пропускную способность — до 819 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 6,4 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук). Производитель заявляет, что такая скорость позволяет передать 163 фильма в Full HD объемом 5 ГБ каждый всего за секунду.
Характеристики памяти SK Hynix
Читать на itc.ua
