Samsung в этом квартале запустит массовое производство по техпроцессу 3GAE с использованием транзисторов GAAFET (MBCFET)

Компания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early). Это будет первая в отрасли производственная технология класса 3 нм, а также первый узел, в котором используются транзисторы GAAFET (gate-all-around field effect transistors).

Обращение от редакции: Нашим защитникам из 115-й бригады, которая сейчас воюет на востоке, нужен пикап. Реквизиты для перевода средств на карту monobank – Полянская Карине Сергеевна, номер карты 5375414101372265. Просим вас принять участие в сборе средств.Слава Украине!

Для справки: архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Именно она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET). Каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). В то же время канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что и накладывает ограничения по масштабированию.

У Samsung собственная реализация технологии GAAFET, которая носит маркетинговое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). На самом деле MBCFET отличается от GAAFET не только названием, но и технически: в случае реализации Samsung каналы выполнены виде плоских «мостиков», а не «проводков».

Техпроцесс 3GAE от Samsung Foundry — это первый технологический процесс компании, в котором используются транзисторы GAA, называемые MBCFET. Ранее Samsung заявляла, что этот техпроцесс позволит