Samsung начала массовый выпуск памяти DDR5 — по техпроцессу 14-нм с использованием EUV-литографии
Samsung Electronics сообщила о старте серийного производства памяти DRAM DDR5 — южнокорейский производитель сумел первым наладить выпуск 14-нанометровых микросхем DDR5 с использованием литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
JEDEC утвердила финальную спецификацию оперативной памяти DDR5 в июле 2020 года, а в октябре SK Hynix сообщил о выпуске «первых в мире» микросхем памяти DDR5. С тех пор Team Group, Adata и другие производители комплектующих наперебой анонсировали выпуск модулей (DDR5), соревнуясь за первенство.
Инженерам Samsung Electronics удалось нарастить количество слоев EUV до пяти, и добиться наивысшего значения битовой плотности при увеличении общей производительности примерно на 20% в расчете на одну пластину.
Читать на itc.ua

