Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же был продемонстрирован прототип 3-нм кристалла памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET.

На сегодняшний день наиболее передовым техпроцессом, освоенным TSMC и Samsung в серийном производстве, является 5-нанометровый. Важно оговорить, что технологии Samsung 5LPP и TSMC N5 — разные и не совместимы между собой, хотя и обе основаны на литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Напомним, TSMC выпускает для Apple 5-нм чипы A14 и M1, а Samsung производит новейшие мобильные SoC Snapdragon 888 и Samsung