Внезапная революция в мире полупроводников: 2-нанометровая топология почти готова
TSMC опередила Samsung в разработке транзисторов GAAFET с круговым затвором и горизонтальным расположением каналов. Эта технология позволит ей сделать рывок и к 2023-2024 гг.
перейти с текущих 5 нм на передовой 2-нанометровый техпроцесс производства. Вперед, в будущееКомпания TSMC разработала полностью функциональную схему производства транзисторов с использованием технологии GAAFET.
Как пишет портал Gizmochina, это настоящий прорыв в сфере полупроводников, и он позволит TSMC первой в мире наладить производство чипов по новейшему 2-нанометровому техпроцессу.По предварительным прогнозам, TSMC начнет опытное производство по 2-нанометровым нормам в промежутке между 2023 и 2024 гг. Этому будет предшествовать переход компании на 3 нанометра –
. Читать на cnews.ru

