В России появится ещё один дизайн-центр для тестирования микросхем
Новый дизайн-центр метрологического обеспечения, оценки соответствия и стандартизации радиоэлектронного оборудования и сверхвысокочастотной микроэлектроники создадут на базе ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии им. Д. И. Менделеева» в Ломоносове. Открытый конкурс на разработку проектно-сметной документации на портале госзакупок опубликовали в начале июля, заявки принимают до 28 августа 2024 года.
Разработка сметы обойдётся институту в 84,6 млн рублей. Она должна быть готова к 15 февраля 2025 года. Срок создания центра в закупке не указан.
Дизайн‑центр позволит реализовывать государственные задачи в области технического регулирования радиоэлектронного оборудования и сверхвысокочастотной микроэлектроники на национальном и международном уровнях, следует из технического задания. Согласно документам закупки, дизайн‑центр должны создать в рамках реализации госпрограммы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности».
Создаваемый дизайн‑центр на базе Ломоносовского отделения ВНИИМ им. Д. И. Менделеева будет проводить испытания изделий, выпускаемых малыми и сверхмалыми сериями, рассказал «Ведомостям» представитель ФГУПа. Испытания будет проходить не только сама продукция микроэлектроники, но и материалы для её создания.
По словам представителя института, в дизайн‑центре планируют создать лаборатории для исследования специальных газов, органических и неорганических материалов для электронной промышленности. На базе института также сформируют испытательный центр по тестированию электронной компонентной базы и оборудования.
Согласно документам закупки, в испытательном центре установят оборудование для тестирования цифровых микросхем, полупроводниковых, а также высоковольтных изделий. Приблизительная
Читать на habr.com