Ученые нашли способ сделать мозгоподобные чипы мощнее и экономнее: как это удалось

С помощью протонирования исследователи хотят создать многоуровневые устройств памяти с большой емкостью. Международная группа специалистов под руководством KAUST обнаружила, что протоны, вызывающие множественные фазовые переходы в сегнетоэлектрических материалах, могут помочь в разработке высокопроизводительных устройств памяти, например, нейроморфных чипов, работающих по принципу человеческого мозга, сообщает Interesting Engineering.

В своей опубликованной научной статье ученые пишут, что: "Ферроэлектрики, такие, как селенид индия, являются внутренне поляризованными материалами, которые меняют полярность при помещении в электрическое поле, что делает их привлекательными для создания технологий памяти". Ученые говорят, что подобные устройства памяти не только требуют низких рабочих напряжений, но и демонстрируют отличные показатели максимальной долговечности и скорости чтения/записи, однако их емкость невелика.

Это объясняется тем, что существующие методы позволяют вызвать лишь несколько ферроэлектрических фаз, а уловить эти фазы экспериментально очень сложно. Новый подход, разработанный группой исследователей, основан на протонировании селенида индия с образованием множества ферроэлектрических фаз.

Он заключался в том, что ферроэлектрический материал осаждался в транзисторе, изготовленном на основе кремниевой гетероструктуры со стеком. "Многослойная пленка селенида индия была нанесена на гетероструктуру, состоящую из изолирующего листа оксида алюминия, зажатого между слоем платины снизу и пористым кварцем сверху.