Samsung раскрыла первые подробности о памяти HBM5: новые чипы для ИИ окажутся более чем на 50% быстрее

По официальным данным Samsung, новое поколение памяти сможет обеспечить прирост производительности более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Добиться такого результата планируется благодаря применению современного 2-нм техпроцесса и усовершенствованной конструкции микросхем.

О новых разработках рассказал руководитель направления технологического развития контрактного производства Samsung Гу Джахум.

По его словам, память HBM5 будет обрабатывать данные более чем на 50% быстрее по сравнению с HBM4E.

Основные улучшения включают:

Именно базовый кристалл служит основой, на которой располагаются несколько слоев DRAM-памяти. Переход на более современный техпроцесс позволит уменьшить энергопотребление и одновременно увеличить скорость передачи данных.

Одной из ключевых особенностей новых микросхем станет использование фирменной 2-нм технологии Gate-All-Around (GAA).

В отличие от традиционных транзисторов FinFET, архитектура GAA обеспечивает более точный контроль над электрическим током, снижает утечки энергии и позволяет размещать больше транзисторов на той же площади кристалла.

Кроме того, Samsung планирует модернизировать технологию Through-Silicon Via (TSV), которая отвечает за соединение нескольких слоев памяти.

Компания намерена сделать соединения между слоями DRAM более плотными, что позволит дополнительно увеличить скорость обмена данными между микросхемами.

Высокоскоростная память HBM сегодня считается одним из ключевых элементов современной инфраструктуры искусственного интеллекта.

Она используется в:

В отличие от обычной оперативной памяти, HBM представляет собой несколько вертикально объединенных слоев DRAM, что обеспечивает значительно более высокую пропускную способность при меньшем энергопотреблении.

Именно поэтому спрос на