Samsung готовится к массовому производству 2-нм GAA чипов в 2025 году

Компания Samsung, один из ведущих игроков в области полупроводников, активно работает над усовершенствованием архитектуры транзисторов GAA (Gate All Around) для нового 2-нм техпроцесса. Согласно последним отчетам, корейская компания планирует начать массовое производство 2нм полупроводниковых чипов на основе этой технологии уже в следующем году.

В настоящее время Samsung разрабатывает третье поколение технологии GAA, которое будет применяться в 2нм процессе. Первое поколение технологии GAA было введено с 3-нм процессом от Samsung Foundry в 2022 году. Технология GAA второго поколения применяется в 3-нм техпроцессе второго поколения.

Samsung – первая компания, которая начала производить чипы по новой технологии GAA. Её главный конкурент TSMC также начал производить 3-нм чипы с 2022 года, но по старой технологии FinFET. TSMC также планирует перейти на новый техпроцесс 2-нм по технологии GAA в следующем году. Но Samsung может иметь технологическое преимущество, когда в 2025 году начнется эра 2-нм.

Архитектура транзисторов GAA помогает повысить производительность, энергоэффективность чипов, а также сделать сами чипы компактнее. Чипы первого поколения GAA показали сокращение площади чипа на 16%, улучшение производительности на 23% и повышение энергоэффективности на 45%. Второе поколение техпроцесса, предположительно, обеспечивает сокращение площади на 35%, улучшение производительности на 30% и улучшение энергоэффективности на 50%. Третье поколение GAA, которое будет использоваться в 2нм чипах, должно обеспечить сокращение площади на 50% и увеличение производительности на 50%.

Главный конкурент Samsung, TSMC, еще не использовал технологию Gate All Around в своих передовых процессах. Samsung планирует начать массовое производство