IBM и Samsung анонсировали VTFET — перспективную технологию компоновки чипов с вертикальными транзисторами
Во время проведения конференции IEDM компании IBM и Samsung заявили, что они совершили прорыв в сфере разработки полупроводников. Они представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле.
В современных процессорах и системах-на-чипе транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течёт из стороны в сторону. В то же время транзисторы VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг относительно друга, а ток течёт вертикально.
Как утверждают IBM и Samsung, такая конструкция имеет два преимущества. Во-первых, она позволяет обойти многие ограничения производительности. Что еще более важно, эта конструкция обеспечивает лучшее течение тока, а
Читать на itc.ua
