

Физики создали самое маленькое устройство памяти
Исследователи использовали атомный слой дисульфида молибдена в качестве основного наноматериала, в котором были созданы дефекты — дыры, или вакансии, служащие ключом для хранения информации высокой плотности. Результаты их работы в журнале Nature Nanotechnology.
Авторы считают, что их открытие открывает путь для создания приложений будущего поколения. Например, сверхплотное хранилище, нейроморфные вычислительные системы, системы радиочастотной связи и многое другое.
Отмечается, что такие устройства памяти называются мемристоры. Новинка будет производительностью около 25 терабит на квадратный сантиметр.
Это в 100 раз больше, чем у продающихся сейчас мощных устройств флэш-памяти. По мнению исследователей, чем меньше компоненты в том числе —
. Читать на news.ru

